科研實驗用CVD石墨烯薄膜（基底可定制）
發(fā)布日期：2023-07-11 來源： 瀏覽次數(shù)：15
石墨烯薄膜一般指通過cvd法制備的單層的石墨烯，因為是單層，所以強度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。那么，高質(zhì)量CVD石墨烯-實驗用石墨烯薄膜是如何制備的?
CVD生長石墨烯主要包括兩個路徑：
一是“直接生長”，催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進而生長成石墨烯薄膜；
二是“迂回生長”，催化裂解的表面碳原子滲透進入體相溶解后，再在表面析出，成核生長形成石墨烯薄膜。兩個平行生長路徑的貢獻，取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性。
CVD法制備石墨烯的基本過程是：
把基底金屬箔片放入爐中，通入氫氣和氬氣或者氮氣保護加熱至1000℃左右，穩(wěn)定溫度，保持20min左右；然后停止通入保護氣體，改通入碳源（如甲烷）氣體，大約30min，反應(yīng)完成；切斷電源，關(guān)閉甲烷氣體，再通入保護氣體排凈甲烷氣體，在保護氣體的環(huán)境下直至管子冷卻到室溫，取出金屬箔片，得到金屬箔片上的石墨烯。
襯底是生長石墨烯的重要條件。目前發(fā)現(xiàn)的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8～10個過渡金屬（如Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不銹鋼）。過渡金屬在石墨烯的CVD生長過程中既作為生長基底，也起催化作用。
微晶材料科技提供：石墨烯薄膜、石墨烯粉體、導(dǎo)電油墨、導(dǎo)熱油墨、石墨烯熱輻射涂料、石墨烯抗菌、石墨烯透明導(dǎo)電膜等
產(chǎn)品列表：
CVD石墨烯薄膜：
銅基底石墨烯薄膜、泡-取式石墨烯薄膜、單面生長銅基底石墨烯薄膜、懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜、PET基底石墨烯薄膜、石英基底石墨烯薄膜、鎳泡沫石墨烯薄膜（3D石墨烯）、氧化硅基底石墨烯薄膜、硅基底石墨烯薄膜、藍寶石基底石墨烯薄膜、自助轉(zhuǎn)移鎳泡沫石墨烯薄膜
石墨烯薄膜一般指通過cvd法制備的單層的石墨烯，因為是單層，所以強度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。那么，高質(zhì)量CVD石墨烯-實驗用石墨烯薄膜是如何制備的?
CVD生長石墨烯主要包括兩個路徑：
一是“直接生長”，催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進而生長成石墨烯薄膜；
二是“迂回生長”，催化裂解的表面碳原子滲透進入體相溶解后，再在表面析出，成核生長形成石墨烯薄膜。兩個平行生長路徑的貢獻，取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性。
CVD法制備石墨烯的基本過程是：
把基底金屬箔片放入爐中，通入氫氣和氬氣或者氮氣保護加熱至1000℃左右，穩(wěn)定溫度，保持20min左右；然后停止通入保護氣體，改通入碳源（如甲烷）氣體，大約30min，反應(yīng)完成；切斷電源，關(guān)閉甲烷氣體，再通入保護氣體排凈甲烷氣體，在保護氣體的環(huán)境下直至管子冷卻到室溫，取出金屬箔片，得到金屬箔片上的石墨烯。
襯底是生長石墨烯的重要條件。目前發(fā)現(xiàn)的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8～10個過渡金屬（如Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不銹鋼）。過渡金屬在石墨烯的CVD生長過程中既作為生長基底，也起催化作用。
微晶材料科技提供：石墨烯薄膜、石墨烯粉體、導(dǎo)電油墨、導(dǎo)熱油墨、石墨烯熱輻射涂料、石墨烯抗菌、石墨烯透明導(dǎo)電膜等
產(chǎn)品列表：
CVD石墨烯薄膜：
銅基底石墨烯薄膜、泡-取式石墨烯薄膜、單面生長銅基底石墨烯薄膜、懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜、PET基底石墨烯薄膜、石英基底石墨烯薄膜、鎳泡沫石墨烯薄膜（3D石墨烯）、氧化硅基底石墨烯薄膜、硅基底石墨烯薄膜、藍寶石基底石墨烯薄膜、自助轉(zhuǎn)移鎳泡沫石墨烯薄膜
