微晶科技提供高純5納米石墨烯-厚度可定制（1nm-8nm）
發(fā)布日期：2024-10-21 來源： 瀏覽次數(shù)：25
CVD技術(shù)是一種在較高溫度下通過化學(xué)反應(yīng)使含碳化合物分解，進(jìn)而在基底上生長出石墨烯薄膜的方法。微晶科技通過精確控制CVD反應(yīng)條件，包括氣體流量、壓力、溫度以及生長時(shí)間，確保了石墨烯薄膜的高質(zhì)量和均勻性。該過程通常涉及在銅箔等金屬基底上催化生長石墨烯，然后通過一系列精細(xì)的轉(zhuǎn)移步驟，將石墨烯薄膜無損地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）等，以保持其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)。
所制備的石墨烯薄膜具有以下顯著特點(diǎn)：
1、高熱導(dǎo)率：石墨烯的高熱導(dǎo)率有助于快速分散熱量，保護(hù)電子元件免受過熱損害。
2、高電導(dǎo)性：石墨烯的高電導(dǎo)性使其在電子器件中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。
3、高透明度：石墨烯薄膜的高透明度使其在透明導(dǎo)電膜等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。
4、柔韌性：石墨烯薄膜的柔韌性使其能夠適應(yīng)各種彎曲和折疊的應(yīng)用需求。
微晶科技的CVD法制備石墨烯薄膜技術(shù)不僅在科研領(lǐng)域具有重要應(yīng)用，同時(shí)也為石墨烯材料的商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。
CVD技術(shù)是一種在較高溫度下通過化學(xué)反應(yīng)使含碳化合物分解，進(jìn)而在基底上生長出石墨烯薄膜的方法。微晶科技通過精確控制CVD反應(yīng)條件，包括氣體流量、壓力、溫度以及生長時(shí)間，確保了石墨烯薄膜的高質(zhì)量和均勻性。該過程通常涉及在銅箔等金屬基底上催化生長石墨烯，然后通過一系列精細(xì)的轉(zhuǎn)移步驟，將石墨烯薄膜無損地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上，如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）等，以保持其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)。
所制備的石墨烯薄膜具有以下顯著特點(diǎn)：
1、高熱導(dǎo)率：石墨烯的高熱導(dǎo)率有助于快速分散熱量，保護(hù)電子元件免受過熱損害。
2、高電導(dǎo)性：石墨烯的高電導(dǎo)性使其在電子器件中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。
3、高透明度：石墨烯薄膜的高透明度使其在透明導(dǎo)電膜等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。
4、柔韌性：石墨烯薄膜的柔韌性使其能夠適應(yīng)各種彎曲和折疊的應(yīng)用需求。
微晶科技的CVD法制備石墨烯薄膜技術(shù)不僅在科研領(lǐng)域具有重要應(yīng)用，同時(shí)也為石墨烯材料的商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。
