4英寸晶圓氧化硅片基底石墨烯（2英寸-6英寸）
發(fā)布日期：2025-03-21 來源： 瀏覽次數(shù)：22
4英寸晶圓氧化硅片基底石墨烯，是通過先進的工藝將石墨烯精準轉(zhuǎn)移至任意類型氧化硅片表面所形成的新型復(fù)合材料。相較于傳統(tǒng)材料，其具備卓越的透光性、出色的遷移率、低接觸電阻、快速的界面電荷轉(zhuǎn)移能力以及良好的親水性，這些特性使其在光電子器件、半導(dǎo)體芯片制造等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
微晶科技可提供單層、雙層及少層2英寸/4英寸/6英寸晶圓氧化硅片基底石墨烯產(chǎn)品系列，滿足不同應(yīng)用場景下的多樣化需求。此外，我們還提供基底定制服務(wù)，以滿足客戶的特殊需求。定制尺寸包括2inch、4inch、6inch。公司所提供的石墨烯完整度大于95%，潔凈度大于90%，從而保證在高端電子器件制造過程中的一致性和可靠性。
晶圓級氧化硅片基底單層石墨烯薄膜
| 序號 | 產(chǎn)品編號 | 規(guī)格 | 等級 | 方阻/Ω/口 |
| 01 | WJOSA2inch | 2inch | A | 300-600 |
| 02 | WJOSA4inch | 4inch | A | 300-600 |
| 03 | WJOSA6inch | 6inch | A | 300-600 |
| 04 | WJOSB2inch | 2inch | B | 700-1500 |
| 05 | WJOSB4inch | 4inch | B | 700-1500 |
| 06 | WJOSB6inch | 6inch | B | 700-1500 |
備注:A級單層覆蓋率大于97%尺寸可根據(jù)要求定制 B級單層覆蓋率大于85%尺寸可根據(jù)要求定制
晶圓級氧化硅片基底少層石墨烯薄膜
| 序號 | 產(chǎn)品編號 | 規(guī)格 | 等級 | 方阻/Ω/口 |
| 01 | WJOF2inch | 2inch | / | 500-1200 |
| 02 | WJOF4inch | 4inch | / | 500-1200 |
| 03 | WJOF6inch | 6inch | / | 500-1200 |
備注:可提供原始拉曼數(shù)據(jù) 尺寸可根據(jù)要求定制
4英寸晶圓氧化硅片基底石墨烯，是通過先進的工藝將石墨烯精準轉(zhuǎn)移至任意類型氧化硅片表面所形成的新型復(fù)合材料。相較于傳統(tǒng)材料，其具備卓越的透光性、出色的遷移率、低接觸電阻、快速的界面電荷轉(zhuǎn)移能力以及良好的親水性，這些特性使其在光電子器件、半導(dǎo)體芯片制造等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
微晶科技可提供單層、雙層及少層2英寸/4英寸/6英寸晶圓氧化硅片基底石墨烯產(chǎn)品系列，滿足不同應(yīng)用場景下的多樣化需求。此外，我們還提供基底定制服務(wù)，以滿足客戶的特殊需求。定制尺寸包括2inch、4inch、6inch。公司所提供的石墨烯完整度大于95%，潔凈度大于90%，從而保證在高端電子器件制造過程中的一致性和可靠性。
晶圓級氧化硅片基底單層石墨烯薄膜
| 序號 | 產(chǎn)品編號 | 規(guī)格 | 等級 | 方阻/Ω/口 |
| 01 | WJOSA2inch | 2inch | A | 300-600 |
| 02 | WJOSA4inch | 4inch | A | 300-600 |
| 03 | WJOSA6inch | 6inch | A | 300-600 |
| 04 | WJOSB2inch | 2inch | B | 700-1500 |
| 05 | WJOSB4inch | 4inch | B | 700-1500 |
| 06 | WJOSB6inch | 6inch | B | 700-1500 |
備注:A級單層覆蓋率大于97%尺寸可根據(jù)要求定制 B級單層覆蓋率大于85%尺寸可根據(jù)要求定制
晶圓級氧化硅片基底少層石墨烯薄膜
| 序號 | 產(chǎn)品編號 | 規(guī)格 | 等級 | 方阻/Ω/口 |
| 01 | WJOF2inch | 2inch | / | 500-1200 |
| 02 | WJOF4inch | 4inch | / | 500-1200 |
| 03 | WJOF6inch | 6inch | / | 500-1200 |
備注:可提供原始拉曼數(shù)據(jù) 尺寸可根據(jù)要求定制
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