CVD石墨烯是一種用于化學、材料科學、能源科學技術(shù)、化學工程領域的分析儀器。下面為大家介紹下CVD石墨烯的技術(shù)指標介紹?希望能給更多的人帶來幫助。

CVD石墨烯有兩種主流的生長方式真空和常壓。它由計算機自動控制。該系統(tǒng)內(nèi)置了各種石墨烯生長參數(shù)。事實上用戶可以通過簡單的操作輕松制備出高質(zhì)量的石墨烯。如單疇尺寸可達數(shù)毫米的石墨烯大單晶、數(shù)十厘米尺寸的石墨烯多晶薄膜、13C同位素石墨烯等。CVD石墨烯為研究人員提供了大量的研究機會，同時為各種科學思想的實現(xiàn)提供了完善的實驗平臺。事實上，該產(chǎn)品兼容真空和常壓兩種主流生長模式。G-CVD系統(tǒng)是一個完整的CVD石墨烯包括硬件和軟件部分。在常壓大氣或真空條件下工作，通過控制石墨烯的生長可以在10-3托到760托之間的任意壓力下進行。這么多年來，公司致力于國內(nèi)外市場的拓展與開發(fā)，采用線上互聯(lián)網(wǎng)電子商務平臺及線下實體銷售兩種方式齊同并進。

CVD石墨烯具有多種內(nèi)置的生長參數(shù)。整個石墨烯生長過程的重要參數(shù)由計算機精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內(nèi)置各種生長優(yōu)化參數(shù)，用戶只需將基板放入樣品室中，開始成長。此外，你還需要知道的是，實際上優(yōu)良CVD石墨烯是在自然界中制備的，單晶尺寸可以達到幾毫米。使用特別優(yōu)化的生長條件，可以獲得幾毫米大小的單疇單晶。在多晶薄膜方面，也可以制備幾十厘米大小的單層石墨烯薄膜。生長13C同位素石墨烯，研究石墨烯生長動力學G-CVD系統(tǒng)有13C同位素選項，交替生長不同同位素的石墨烯，CVD石墨烯生長動力學。正好這里是是專業(yè)從事石墨烯和納米銀線等新材料應用開發(fā)的國家高新技術(shù)企業(yè)。核心產(chǎn)品包括石墨烯納米銀線復合柔性透明導電膜、石墨烯遠紅外柔性發(fā)熱模組及石墨烯原材等。

通過上述內(nèi)容對介紹以后，我們也對CVD石墨烯的技術(shù)指標有了進一步的了解。以后再看到他的時候就不會感到陌生了，而且在使用的過程中也不會經(jīng)常出現(xiàn)問題。好了，今天的內(nèi)容就說到這里，相信還會帶來更多精彩的知識點。