微晶科技 SiO2/Si片基底石墨烯薄膜 高品質(zhì)CVD石墨烯
發(fā)布日期：2024-08-02 來源： 瀏覽次數(shù)：16
石墨烯，一種由碳原子以sp2雜化軌道組成的二維材料，因其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能而備受關(guān)注。在眾多制備方法中，化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)因其能夠生產(chǎn)大面積、高質(zhì)量石墨烯薄膜而被廣泛采用。微晶科技采用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)實(shí)現(xiàn)石墨烯的可控制備。通過優(yōu)化生長參數(shù)和后處理方法，成功獲得了大面積、均勻且具有優(yōu)異電學(xué)性能的石墨烯薄膜，為石墨烯在電子器件和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
微晶科技提供高品質(zhì)的SiO2/Si片基底CVD石墨烯薄膜在電學(xué)性能上表現(xiàn)出色，為進(jìn)一步的應(yīng)用研究和產(chǎn)業(yè)化提供了重要基礎(chǔ)。
石墨烯，一種由碳原子以sp2雜化軌道組成的二維材料，因其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能而備受關(guān)注。在眾多制備方法中，化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)因其能夠生產(chǎn)大面積、高質(zhì)量石墨烯薄膜而被廣泛采用。微晶科技采用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)實(shí)現(xiàn)石墨烯的可控制備。通過優(yōu)化生長參數(shù)和后處理方法，成功獲得了大面積、均勻且具有優(yōu)異電學(xué)性能的石墨烯薄膜，為石墨烯在電子器件和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
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